丹麥Risø DA20熱釋光/光釋光測年儀

• 型   號：DA20
• 價   格：

丹麥Risø DA20熱釋光/光釋光測年儀考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測量熱釋光又能測量光釋光。

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丹麥Risø DA20熱釋光/光釋光測年儀考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測量熱釋光又能測量光釋光。Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)包括：光探測系統(tǒng)、熱釋光系統(tǒng)、光釋光系統(tǒng)，輻照系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。北京冠遠(yuǎn)科技有限公司為中國總代理

　　丹麥Risø DA20熱釋光/光釋光測年儀(1)特點(diǎn)

　　全自動可編程電腦控制;

　　同時測量48個樣品;

　　加熱溫度可在室溫-700℃之間調(diào)節(jié);

　　可進(jìn)行樣品的紅外釋光(IRSL)、藍(lán)光釋光(BLSL)和熱釋光(TL)測量;

　　光激發(fā)有線性調(diào)制OSL模式和脈沖OSL模式;

　　單個樣品可被α和β放射源(90Sr/90Y和 241Am)或小型的X-射線發(fā)生器照射。

　　(2)光探測系統(tǒng)

　　光探測系統(tǒng)測量發(fā)出的熒光，光探測系統(tǒng)包括一個光電倍增管和相配的濾光片。樣品室 可編程，進(jìn)行熱釋光測量時可抽真空，計算機(jī)控制氮?dú)廨斎耄辜訜岷蟮臉悠纺芸焖倮鋮s。

　　標(biāo)準(zhǔn)的Risø讀出器有配套的濾光片：

　　75mm Hoya U-340

　　2mm Schott BG 39

　　4mm Corning 7-59

　　(3)熱釋光系統(tǒng)

　　利用位于PMT下的加熱元件就可進(jìn)行熱激發(fā)。加熱元件有兩個功能：1)加熱樣品 2)把樣品提升到測量位置。

　　樣品加熱到700°C，升溫速率可在0.1-10 K/s.之間選擇。氮?dú)饬骼鋮s電熱絲，防止加熱系統(tǒng)在高溫情況下被氧化。

　　(4)光釋光系統(tǒng)

　　使用發(fā)光二極管陣列進(jìn)行光激發(fā)，包括CW和LM-OSL激發(fā)。發(fā)光二極管陣列配有光反饋服務(wù)系統(tǒng)來確保激發(fā)功率的穩(wěn)定。二極管和樣品之間的距離大約為20mm。標(biāo)準(zhǔn)Risø TL/OSL讀出器裝有兩個光激發(fā)源：

　　紅外光源(波長870nm)最高激發(fā)能量可達(dá)140mW/cm2或者更高,并能在最大值的0-100%之間任意調(diào)整;

　　藍(lán)光光源(波長470nm)最高激發(fā)能量不小于50mW/cm2。

　　(5)輻照系統(tǒng)

　　系統(tǒng)有三種輻照方式：β，α和X射線輻照。用軟件來控制輻射類型，并允許單個輻射。

　　β輻射

　　Beta輻照器可拆分開，通常配有1.48 GBq (40 mCi) 90Sr/90Y β源，能發(fā)射最大能量為2.27Mev的β粒子。在樣品位置的石英劑量率大約為0.1 Gy/s。源和樣品之間的距離為5mm，在輻照器和測量室之間有一個0.125mm的鈹窗，并充當(dāng)一個真空接口。

　　α輻射

　　α輻照器通常都配有一個10.7 MBq (290 mCi) 241Am源，是一個混合α/γ輻射體。α能量為5.49 MeV (85.1%)，主要的γ能量為59keV。源通過氣驅(qū)動快門控制。在樣品位置的石英劑量率大約為45 mGy/s. γ輻照器和系統(tǒng)蓋和密封軸結(jié)合在儀器阻止在X射線輸出穩(wěn)定之前樣品輻射。

　　X射線輻射

　　X射線燈絲型輻照器的的X射線：Varian VF-50J X-γ射線管 (50 kV, 1 mA, 50 W).動態(tài)劑量率范圍(50mm Al過濾)：當(dāng)安裝在標(biāo)準(zhǔn)的OSL/TL讀出器上時，10 mGy/s - 2 Gy/s。

　　(7)技術(shù)參數(shù)

　　TL：可從室溫加熱到700℃，升溫率可在0.1 K/s -10 K/s之間編程調(diào)節(jié)。恒溫TL可在任何固定溫度下操作。

　　OSL：

　　藍(lán)色LED(波長470nm)激發(fā)：50 mW/cm2;

　　紅外LED(波長870nm)激發(fā)：145 mW/cm2;

　　可在任何溫度下調(diào)控。

　　輻射源選擇：

　　β(90Sr/90Y)陶瓷源 (1.48 GBq)劑量率(石英)： 0.1 Gy/s;

　　α(241Am)源(10.7 MBq)劑量率(石英)：45 mGy/s;

　　X射線發(fā)生器(50 kV, 1 mA)動態(tài)劑量率(石英)：10 mGy/s-2 Gy/s。

　　單顆粒OSL：

　　聚焦綠色激光激發(fā)(532nm)：50 W/cm2;

　　可選擇：IR激光激發(fā) (830 nm)：~ 500 W/cm2;

　　電源： 100-240 V 50/60 Hz (120 W)。